近日，存儲器大廠鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同宣布推出最新的218層3D NAND閃存，展示了雙方持續(xù)攜手創(chuàng)新的成果。據(jù)鎧俠首席技術(shù)官Masaki Momodomi介紹，公司與西數(shù)成功推出了目前具有業(yè)界最高位密度的第八代BiCS閃存，現(xiàn)已開始為部分客戶提供樣品。
西部數(shù)據(jù)公司技術(shù)與戰(zhàn)略高級副總裁Alper Ilkbahar表示：“全新的3D閃存技術(shù)展現(xiàn)了我們與鎧俠強有力的協(xié)作以及雙方在技術(shù)創(chuàng)新上的地位。通過堅持共同的創(chuàng)新研發(fā)路線，并持續(xù)研發(fā)投資，我們已能夠提前將這一基礎(chǔ)性技術(shù)產(chǎn)品化，并提供高性能、高性價比的解決方案?！?/p>
鎧俠公司首席技術(shù)官Masaki Momodomi表示：“基于雙方在技術(shù)工程領(lǐng)域獨特的合作關(guān)系，我們成功推出了目前具有業(yè)界最高位密度的第八代BiCS閃存，現(xiàn)已開始為部分客戶提供樣品。通過應(yīng)用 CBA和縮放技術(shù)創(chuàng)新，我們在3D閃存技術(shù)組合上再度取得進展，可支持包括智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等一系列以數(shù)據(jù)為中心的應(yīng)用場景?！?/p>
此次西部數(shù)據(jù)聯(lián)合鎧俠推出的218層3D閃存技術(shù)利用具有四個平面的1Tb TLC（三級單元）和QLC（四級單元），采用創(chuàng)新的橫向收縮技術(shù)，將位密度提高了約50%。其NAND I/O速度超過 3.2Gb/s，比上一代產(chǎn)品提高了約60%，同時寫入性能和讀取延遲方面改善了約20%，為用戶提供更高的性能和可用性。
關(guān)于西部數(shù)據(jù)公司
西部數(shù)據(jù)始終致力于發(fā)掘數(shù)據(jù)價值，創(chuàng)造更多可能。憑借在閃存和HDD領(lǐng)域的整合積累，以及在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的推進發(fā)展，西部數(shù)據(jù)持續(xù)突破創(chuàng)新，不斷推出強大的數(shù)據(jù)存儲解決方案，以支持全球數(shù)字化未來的遠大進程。同時，西部數(shù)據(jù)將可持續(xù)發(fā)展作為公司核心價值觀，深刻理解應(yīng)對氣候變化的緊迫性，并積極實現(xiàn)科學(xué)減碳倡議組織（Science Based Targets initiative, SBTi）的宏偉減碳目標。
關(guān)于鎧俠
鎧俠是全球存儲器解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，致力于開發(fā)、生產(chǎn)和銷售閃存及固態(tài)硬盤（SSD）。1987年東芝發(fā)明了NAND閃存，2017年4月，鎧俠前身，即東芝存儲器株式會社（Toshiba Memory）從東芝公司剝離。鎧俠致力于以存儲器來提升世界，提供的產(chǎn)品、服務(wù)和系統(tǒng)可為用戶創(chuàng)造選擇，同時為社會創(chuàng)造基于存儲器的價值。鎧俠創(chuàng)新的3D閃存技術(shù)BiCS FLASH?，正在塑造諸多高密度應(yīng)用的未來存儲方式，其中包括先進智能手機、PC、SSD、汽車和數(shù)據(jù)中心等。